Crossbar擁有專利的轉換器設備解決了高密度ReRAM開發人員面臨的最大技術挑戰之一，它被稱為潛泄電流（或漏電流）。Crossbar的3D ReRAM存儲解決方案是基于1TnR陣列（1個晶體管驅動n個電阻式內存單元），其選擇率使得讓一個晶體管管理很大數量的內聯的內存單元成為可能，從而實現很大容量的固態存儲。在1TnR模式下，1個晶體管能夠以非常低的功耗驅動超過2000個內存單元，但也會遇到潛泄電流的漏電問題，對典型ReRAM陣列的性能和可靠性產生干擾。Crossbar擁有專利的電場輔助超線性閾值轉換器設備解決了這一漏電問題，它采用了一個超線性閾值層，里面有一個在閾值電壓值上形成的易變性傳導通路。這樣的電場輔助超線性閾值設備是業內第一個能夠將泄露電流抑制在0.1納安之下的轉換器，并已在一個4 Mbit整合3D堆疊式被動Crossbar陣列中成功實現。

 

Crossbar的轉換器在2014年年底的IEDM上進行了展示，它實現了有報告以來最高的選擇率（10的10次方），低于5mV/dec的極銳斜率，超過100M周期的耐久性，以及低于300攝氏度的處理溫度，解決了潛泄通路問題，從而解決了潛泄通道問題，體現了商用可行性。Crossbar的轉換器是第一個解決了這一設計挑戰的解決方案，為在單芯片上實現TB字節級別的存儲成為現實鋪平了道路，從而使得ReRAM成為領先的下一代NAND內存替代品。

 

 

CrossbarReRAM技術將簡化掉多個數據存儲部件和SSD或者其他類似數據存儲解決方案中的控制器之間的數據讀寫管理。減少后臺內存操作的數量有助于提高數據存儲設備的性能和耐久性，但也降低了SSD控制器的功耗和對DRAM的使用，以及數據存儲部件在進行讀寫時的功耗。

 

在內存單元層面，CrossbarReRAM提升了編程性能和功耗效率。它實現了64pJ/cell的編程功耗，與NAND閃存相比這是20倍的提升。


本文關鍵詞：ReRAM

相關文章：ReRAM性能介紹一

---