SRAM 即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成，SRAM的高速和靜態(tài)特性使它們通常被用來作為Cache存儲器。計(jì)算機(jī)的主板上都有Cache插座。
 
下圖所示的是一個(gè)SRAM的結(jié)構(gòu)框圖。
   
由上圖看出SRAM一般由五大部分組成，即存儲單元陣列、地址譯碼器(包括行譯碼器和列譯碼器)、靈敏放火器、控制電路和緩沖/驅(qū)動(dòng)電路。在圖中A0-Am-1為地址輸入端，CSB. WEB和OEB為控制端，控制讀寫操作，為低電平有效1100-11ON-1為數(shù)據(jù)輸入輸出端。存儲陣列中的每個(gè)存儲單元都與其它單元在行和列上共享電學(xué)連接，其中水平方向的連線稱為“字線”，而垂直方向的數(shù)據(jù)流入和流出存儲單元的連線稱為“位線”。
 
通過輸入的地址可選擇特定的字線和位線，字線和位線的交叉處就是被選中的存儲單元，每一個(gè)存儲單元都是按這種方法被唯一選中，然后再對其進(jìn)行讀寫操作。有的存儲器設(shè)計(jì)成多位數(shù)據(jù)如4位或8位等同時(shí)輸入和輸出，這樣的話就會(huì)同時(shí)有4個(gè)或8個(gè)存儲單元按上述方法被選中進(jìn)行讀寫操作。
 
在SRAM 中，排成矩陣形式的存儲單元陣列的周圍是譯碼器和與外部信號的接口電路。存儲單元陣列通常采用正方形或矩陣的形式，以減少整個(gè)芯片面積并有利于數(shù)據(jù)的存取。以一個(gè)存儲容量為4K位的SRAM為例，共需12條地址線來保證每一個(gè)存儲單元都能被選中(212 =-4096)。如果存儲單元陣列被排列成只包含一列的長條形，則需要一個(gè)12/4K位的譯碼器，但如果排列成包含64行和64列的正方形，這時(shí)則只需一個(gè)6/64位的行譯碼器和一個(gè)6/64位的列譯碼器，行、列譯碼器可分別排列在存儲單元陣列的兩邊，64行和64列共有4096個(gè)交叉點(diǎn)，每一個(gè)點(diǎn)就對應(yīng)一個(gè)存儲位。
 
因此將存儲單元排列成正方形比排列成一列的長條形要大大地減少整個(gè)芯片地面積。存儲單元排列成長條形除了形狀奇異和面積大以外，還有一個(gè)缺點(diǎn)就是排在列的上部的存儲單元與數(shù)據(jù)輸入/輸出端的連線就會(huì)變得很長，特別是對于容量比較大得存儲器來說，情況就更為嚴(yán)重，而連線的延遲至少是與它的長度成線性關(guān)系，連線越長，線上的延遲就越大，所以就會(huì)導(dǎo)致讀寫速度的降低和不同存儲單元連線延遲的不一致性，這些都是在設(shè)計(jì)中需要避免的。
 

本文關(guān)鍵詞： SRAM

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