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偽靜態存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器（SRAM），即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。

安徽偉凌創芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場（Niche market）專用芯片/小型SOC芯片及整體解決方案，第一代產品涉及千兆/萬兆USB網口芯片以及音視頻接口芯片。提供創新、高品質、高性價比、供貨持續穩定的芯片，并通過提供軟硬件Turnkey solution，降低客戶研發難度，縮短客戶量產時程。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。

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